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TRS4E65H,S1Q(S
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Único, 650 V, 14 A, 12 nC, TO-220
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.450 |
| 10+ | $2.150 |
| 100+ | $1.820 |
| 500+ | $1.710 |
| 1000+ | $1.580 |
| 2500+ | $1.370 |
| 5000+ | $1.340 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTRS4E65H,S1Q(S
No. Parte Newark79AK2900
Rango de Producto-
Configuración de DiodoSingle
Voltaje Reverso Pico Repetitivo650V
Corriente Directa Promedio14A
Carga Capacitiva Total12nC
Estilo de la Carcasa del DiodoTO-220
No. de Pines2 Pin
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Montaje del DiodoThrough Hole
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Rango de Producto
-
Voltaje Reverso Pico Repetitivo
650V
Carga Capacitiva Total
12nC
No. de Pines
2 Pin
Montaje del Diodo
Through Hole
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Configuración de Diodo
Single
Corriente Directa Promedio
14A
Estilo de la Carcasa del Diodo
TO-220
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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