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TPN3300ANH,LQ(S
MOSFET, N-CH, 100V, 9.4A, TSON ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTPN3300ANH,LQ(SCopiar
No. Parte Newark86AK6555
Su número de pieza
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 20 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.242 |
| 6000+ | $0.224 |
| 12000+ | $0.208 |
| 18000+ | $0.195 |
| 30000+ | $0.185 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 3000
Múltiple: 3000
$726.00
nota de línea
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTPN3300ANH,LQ(SCopiar
No. Parte Newark86AK6555
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id9.4A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.033ohm
Diseño de TransistorTSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia27W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
9.4A
Diseño de Transistor
TSON
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
27W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.033ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto
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