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TK7A80W,S4X(S
MOSFET, N-CH, 800V, 6.5A, TO-220SIS
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FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTK7A80W,S4X(S
No. Parte Newark72AK4567
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.470 |
| 10+ | $3.030 |
| 100+ | $2.540 |
| 500+ | $2.390 |
| 1000+ | $2.190 |
| 2500+ | $1.880 |
| 5000+ | $1.840 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$3.47
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTK7A80W,S4X(S
No. Parte Newark72AK4567
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds800
Intensidad Drenador Continua Id6.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.795
Diseño de TransistorTO-220SIS
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia35
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
6.5
Diseño de Transistor
TO-220SIS
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
35
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
800
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.795
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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