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TK2R4E08QM,S1X(S
MOSFET, N-CH, 80V, 290A, TO-220
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTK2R4E08QM,S1X(S
No. Parte Newark72AK4467
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80
Intensidad Drenador Continua Id290
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1970µohm
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.5
Disipación de Potencia300
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
290
Diseño de Transistor
TO-220
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
300
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1970µohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.5
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto