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TK110A10PL,S4X(S
MOSFET, N-CH, 100V, 41A, TO-220SIS
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FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTK110A10PL,S4X(SCopiar
No. Parte Newark72AK4433
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.260 |
| 10+ | $1.080 |
| 100+ | $0.828 |
| 500+ | $0.732 |
| 1000+ | $0.638 |
| 2500+ | $0.518 |
| 10000+ | $0.501 |
Precio para:Cada
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTK110A10PL,S4X(SCopiar
No. Parte Newark72AK4433
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id41
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente9100µohm
Diseño de TransistorTO-220SIS
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5
Disipación de Potencia36
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
41
Diseño de Transistor
TO-220SIS
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
36
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
9100µohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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