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SSM6P40TU,LF(T
Diodos, transistores y dispositivos semi
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FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM6P40TU,LF(TCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark03AM3070
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890 En Inventario
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $0.467 |
| 10+ | $0.358 |
| 25+ | $0.299 |
| 50+ | $0.250 |
| 100+ | $0.210 |
| 250+ | $0.179 |
| 500+ | $0.146 |
| 1000+ | $0.124 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 5
Múltiple: 5
$2.34
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM6P40TU,LF(TCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark03AM3070
Tipo de CanalDual P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N-
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P1.4A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.226ohm
Diseño de TransistorSOT-363F
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N-
Disipación de Potencia de Canal P500mW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Dual P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
1.4A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.226ohm
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
500mW
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
-
Diseño de Transistor
SOT-363F
Disipación de Potencia de Canal N
-
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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