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SSM6N68NU,LF(T
Diodos, transistores y dispositivos semi
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FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM6N68NU,LF(TCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark03AM3066
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $0.454 |
| 10+ | $0.349 |
| 25+ | $0.290 |
| 50+ | $0.243 |
| 100+ | $0.204 |
| 250+ | $0.174 |
| 500+ | $0.142 |
| 1000+ | $0.121 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 5
Múltiple: 5
$2.27
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM6N68NU,LF(TCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark03AM3066
Tipo de CanalDual N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N4A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.084ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorSOT-1118
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N1W
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Dual N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
4A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.084ohm
Diseño de Transistor
SOT-1118
Disipación de Potencia de Canal N
1W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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