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SSM6J512NU,LF(T
MOSFET de Potencia, Canal P, 12 V, 10 A, 0.0162 ohm, SOT-1220, Montaje Superficial
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FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM6J512NU,LF(T
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)01AM0631
Cinta adhesiva01AM0631
Su número de pieza
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.539 | $0.54 |
| Total Precio | $0.54 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.539 |
| 10+ | $0.414 |
| 25+ | $0.344 |
| 50+ | $0.288 |
| 100+ | $0.242 |
| 250+ | $0.206 |
| 500+ | $0.169 |
| 1000+ | $0.143 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM6J512NU,LF(T
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)01AM0631
Cinta adhesiva01AM0631
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds12
Intensidad Drenador Continua Id10
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0162
Diseño de TransistorSOT-1220
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)8
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Disipación de Potencia2.5
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
10
Diseño de Transistor
SOT-1220
Voltaje de Prueba Rds(on)
8
Disipación de Potencia
2.5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
12
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0162
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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