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SSM3K62TU,LF(T
MOSFET, N-CHANNEL, 20V, 0.8A, SOT-323F ROHS COMPLIANT: YES
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1,335 En Inventario
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.490 |
| 10+ | $0.384 |
| 25+ | $0.326 |
| 50+ | $0.279 |
| 100+ | $0.240 |
| 250+ | $0.210 |
| 500+ | $0.178 |
| 1000+ | $0.156 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 5
Múltiple: 5
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM3K62TU,LF(T
No. Parte Newark03AM3043
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id800mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.057ohm
Diseño de TransistorSOT-323F
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1V
Disipación de Potencia500mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
800mA
Diseño de Transistor
SOT-323F
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
500mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.057ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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