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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.352 |
| 10+ | $0.274 |
| 25+ | $0.193 |
| 50+ | $0.162 |
| 100+ | $0.138 |
| 250+ | $0.114 |
| 500+ | $0.098 |
| 1000+ | $0.084 |
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Mínimo: 5
Múltiple: 5
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM3K344R,LF(T
No. Parte Newark03AM3037
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id3A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.071ohm
Diseño de TransistorSOT-23F
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1V
Disipación de Potencia1W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
3A
Diseño de Transistor
SOT-23F
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
1W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.071ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Trazabilidad del producto
