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SSM3K15AFU,LF(T
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-323, Montaje Superficial
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FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM3K15AFU,LF(T
No. Parte Newark09AK7970
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.243 |
| 10+ | $0.188 |
| 25+ | $0.114 |
| 50+ | $0.093 |
| 100+ | $0.078 |
| 250+ | $0.063 |
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM3K15AFU,LF(T
No. Parte Newark09AK7970
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id100
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3.6ohm
Diseño de TransistorSOT-323
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.5
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia150
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SOT-323
Voltaje de Prueba Rds(on)
4
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3.6ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.5
Disipación de Potencia
150
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Alternativas para el número de pieza SSM3K15AFU,LF(T
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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