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SSM3J327R,LF(T
MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 3.9 A, 0.093 ohm, SOT-23F, Montaje Superficial
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FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM3J327R,LF(T
No. Parte Newark09AK7958
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.384 |
| 10+ | $0.295 |
| 25+ | $0.202 |
| 50+ | $0.167 |
| 100+ | $0.140 |
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM3J327R,LF(T
No. Parte Newark09AK7958
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id3.9
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.093ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSOT-23F
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Disipación de Potencia1
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.093ohm
Diseño de Transistor
SOT-23F
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Disipación de Potencia
1
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
3.9
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Alternativas para el número de pieza SSM3J327R,LF(T
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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