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HN4C51J(TE85L,F)
Arreglo de Transistores Bipolares, NPN Doble, 120 V, 100 mA, 300 mW
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FabricanteTOSHIBA
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No. Parte Newark03AM2083
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.597 |
| 10+ | $0.369 |
| 25+ | $0.324 |
| 50+ | $0.280 |
| 100+ | $0.236 |
| 250+ | $0.207 |
| 500+ | $0.178 |
| 1000+ | $0.160 |
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteHN4C51J(TE85L,F)Copiar
No. Parte Newark03AM2083
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN Doble
Voltaje Máx. NPN de Colector a Emisor120
Voltaje Máx. PNP de Colector a Emisor-
Corriente NPN de Colector Continua100
Corriente PNP de Colector Continua-
Disipación de Potencia NPN300
Disipación de Potencia PNP-
Ganancia Mín. hFE NPN de Corriente CD200
Ganancia Mín. hFE PNP de Corriente CD-
Diseño de TransistorSOT-25
No. de Pines5Pines
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Temperatura de Trabajo Máx.150
Frecuencia de Transición NPN100
Frecuencia de Transición PNP-
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN Doble
Voltaje Máx. PNP de Colector a Emisor
-
Corriente PNP de Colector Continua
-
Disipación de Potencia PNP
-
Ganancia Mín. hFE PNP de Corriente CD
-
No. de Pines
5Pines
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Frecuencia de Transición PNP
-
Calificación
-
Voltaje Máx. NPN de Colector a Emisor
120
Corriente NPN de Colector Continua
100
Disipación de Potencia NPN
300
Ganancia Mín. hFE NPN de Corriente CD
200
Diseño de Transistor
SOT-25
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Frecuencia de Transición NPN
100
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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