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HN1C01FU-GR,LF(T
BIPOLAR TRANS, DUAL NPN, 50V, SOT-363 ROHS COMPLIANT: YES
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.330 |
| 10+ | $0.228 |
| 25+ | $0.182 |
| 50+ | $0.138 |
| 100+ | $0.093 |
| 250+ | $0.083 |
| 500+ | $0.074 |
| 1000+ | $0.065 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 5
Múltiple: 5
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteHN1C01FU-GR,LF(T
No. Parte Newark99AK9448
Transistor, PolaridadDual NPN
Voltaje Máx. NPN de Colector a Emisor50V
Voltaje Máx. PNP de Colector a Emisor-
Corriente NPN de Colector Continua150mA
Corriente PNP de Colector Continua-
Disipación de Potencia NPN200mW
Disipación de Potencia PNP-
Ganancia Mín. hFE NPN de Corriente CD200hFE
Ganancia Mín. hFE PNP de Corriente CD-
Diseño de TransistorSOT-363
No. de Pines6Pines
Montaje de TransistorSurface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Frecuencia de Transición NPN80MHz
Frecuencia de Transición PNP-
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Dual NPN
Voltaje Máx. PNP de Colector a Emisor
-
Corriente PNP de Colector Continua
-
Disipación de Potencia PNP
-
Ganancia Mín. hFE PNP de Corriente CD
-
No. de Pines
6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Frecuencia de Transición PNP
-
Calificación
-
Voltaje Máx. NPN de Colector a Emisor
50V
Corriente NPN de Colector Continua
150mA
Disipación de Potencia NPN
200mW
Ganancia Mín. hFE NPN de Corriente CD
200hFE
Diseño de Transistor
SOT-363
Montaje de Transistor
Surface Mount
Frecuencia de Transición NPN
80MHz
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto