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2SA2056(TE85L,F)
Transistor Bipolar (BJT) Individual, PNP, 50 V, 2 A, 1 W, TSM, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.464 |
| 10+ | $0.286 |
| 25+ | $0.252 |
| 50+ | $0.217 |
| 100+ | $0.182 |
| 250+ | $0.160 |
| 500+ | $0.138 |
| 1000+ | $0.123 |
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte Fabricante2SA2056(TE85L,F)
No. Parte Newark29AM9439
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor50
Corriente del Colector Continua2
Disipación de Potencia1
Diseño de TransistorTSM
Montaje de TransistorMontaje Superficial
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición-
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.200
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Corriente del Colector Continua
2
Diseño de Transistor
TSM
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
200
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Voltaje Máx. Colector a Emisor
50
Disipación de Potencia
1
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Frecuencia de Transición
-
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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