MOSFET de potencia

Toshiba ofrece una amplia línea de MOSFET de potencia para diversas aplicaciones automotrices, incluidos sistemas de baterías de 48 V. La combinación de baja resistencia de encendido y la avanzada tecnología de paquetes hace que los MOSFET de potencia de Toshiba sean una solución ideal para reducir las pérdidas del sistema, lo que contribuye al ahorro de energía en aplicaciones automotrices. Todos los MOSFET que se muestran en este folleto tienen calificación AEC-Q101 o están en proceso de calificación AEC-Q101.

El conector de cobre (Cu) y la unión de clip SOP/DSOP Advance(WF), TSON Advance(WF) y DPAK+ utilizan conectores de cobre (Cu) en lugar de una unión de cable de aluminio convencional. Los S-TOGL y L-TOGL, recientemente desarrollados, adoptan la estructura de clip de Cu (estructura sin poste), que es una evolución de la estructura de conectores de Cu, para lograr una mejora adicional en el rendimiento de alta corriente. El conector de Cu y el clip contribuyen a la reducción de la resistencia e inductancia del paquete.

Un gran ejemplo es que los nuevos XPQR8308QB de 80 V y XPQ1R00AQB de 100 V se basan en el nuevo proceso U-MOS X-H de Toshiba. Esto proporciona bajos niveles de valores de resistencia de encendido (RDS(ON)) de 350 A (XPQR8308QB) y 300 A (XPQ1R00AQB) de forma continua con valores de pulsos (IDP) de 1050 A y 900 A respectivamente.

Control de motores

TB9M003 SmartMCD™, el galardonado* dispositivo SmartMCD de Toshiba, ofrece un control de campo orientado (FOC, del inglés Field Oriented Control) eficiente de motores BLDC/PMSM de 30 a 1000 W en aplicaciones automotrices o similares.

Mediante el uso de la avanzada tecnología de procesos de señales mixtas de quinta generación de Toshiba, se combina una CPU Arm^® Cortex^® con un coprocesador de motores vectoriales y precontroladores para controlar los MOSFET externos de canal N B6. El dispositivo se conecta directamente a la batería y al bus LIN, lo que proporciona altos niveles de rendimiento e integración. Este nivel de integración, alojado en un paquete HTQFP48 térmicamente mejorado de 9.0 mm x 9.0 mm, permite sistemas de motores BLDC/PMSM de 30 a 1000 W más pequeños, más simples y de menor costo. El ecosistema disponible con la herramienta de PC SmartMCD™ garantiza un corto plazo de comercialización. Permite una configuración de parámetros, un control de mando, un registro en tiempo real y un diagnóstico fáciles a través de un UART de alta velocidad.

* Consulte a continuación la placa de desarrollo MikroE, que recientemente ganó el premio Product Of The YEAR 2024 de EPDT.

Toshiba también ofrece dispositivos de control de motores sin MCU integrada, como el nuevo TB9083FTG. El TB9083FTG se diseñó de acuerdo con la norma ISO 26262 (segunda edición) e integra 9 controladores de puerta, incluidos 6 para impulsar MOSFET a fin de controlar los motores de BLDC en el rango de 1000 W o menos. Además, incluye 3 controladores para controlar los MOSFET externos que se pueden utilizar tanto para el control del sistema como para los relés de seguridad, lo que permite que el TB9083FTG apoye al ASIL-D, el nivel más alto de seguridad funcional para aplicaciones automotrices. El TB9083FTG también incorpora una bomba de carga integrada, amplificadores de detección de corriente ajustables para cada circuito oscilador de fase del motor y una interfaz de comunicación SPI para la configuración a través de una unidad microcontroladora (MCU, del inglés Microcontroller Unit) de host.

Aislamiento

Toshiba ofrece una nueva generación de fotoacopladores con calificación AEC-Q101, que cumplen con los requisitos de la mayoría de las aplicaciones automotrices y otras aplicaciones resistentes. Con más de 20 años de experiencia en el mercado automotor de fotoacopladores, Toshiba proporciona productos adecuados para los requisitos de aislamiento cada vez más exigentes de las aplicaciones automotrices actuales. Estas incluyen VEH/VE, sistemas de administración de baterías, convertidores de CC-CC e inversores.

Por ejemplo, el nuevo TLX9150M/TLX9152M de fotorrelevador de alto voltaje de 900 V ofrece una tensión no disruptiva de salida alta (VOFF) de, al menos, 900 V.