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CSD88539ND
MOSFET, DUAL N CHANNEL, 60V, 15A, SOIC
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Información del producto
FabricanteTEXAS INSTRUMENTS
No. Parte FabricanteCSD88539ND
No. Parte Newark29AH3856
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N60V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N15A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P15A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.023ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.023ohm
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N2.1W
Disipación de Potencia de Canal P2.1W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2018)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
15A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.023ohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
2.1W
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
60V
Intensidad Drenador Continua Id
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
15A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.023ohm
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
2.1W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2018)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2018)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto