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CSD17313Q2
MOSFET, N CH, 30V, 5A, SON-6
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FabricanteTEXAS INSTRUMENTS
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No. Parte Newark29AH3828
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $0.773 |
| 10+ | $0.474 |
| 25+ | $0.418 |
| 50+ | $0.364 |
| 100+ | $0.308 |
| 250+ | $0.272 |
| 500+ | $0.235 |
| 1000+ | $0.210 |
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Información del producto
FabricanteTEXAS INSTRUMENTS
No. Parte FabricanteCSD17313Q2Copiar
No. Parte Newark29AH3828
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id5A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.03ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)8V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.3V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia2.3W
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2018)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.03ohm
Diseño de Transistor
SON
Voltaje de Prueba Rds(on)
8V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
5A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.3V
Disipación de Potencia
2.3W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2018)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2018)
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