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CSD13381F4T
MOSFET, N-CHANNEL, 12V, 2.1A, LGA-3
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FabricanteTEXAS INSTRUMENTS
No. Parte FabricanteCSD13381F4T
No. Parte Newark28AH2080
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.480 |
| 10+ | $0.977 |
| 25+ | $0.856 |
| 50+ | $0.735 |
| 100+ | $0.614 |
| 250+ | $0.578 |
| 500+ | $0.542 |
| 1000+ | $0.499 |
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Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteTEXAS INSTRUMENTS
No. Parte FabricanteCSD13381F4T
No. Parte Newark28AH2080
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds12V
Intensidad Drenador Continua Id2.1A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.14ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorLGA
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente850mV
Disipación de Potencia500mW
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2018)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
12V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.14ohm
Diseño de Transistor
LGA
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
500mW
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
2.1A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
850mV
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2018)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2018)
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