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TSM007NM03LCR RGG
MOSFET, N-CH, 30V, 384A, PDFN56A
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FabricanteTAIWAN SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteTSM007NM03LCR RGGCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante14 semanas
No. Parte Newark12AN0614
Su número de pieza
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 14 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 10+ | $2.420 |
| 20+ | $2.260 |
| 30+ | $2.100 |
| 50+ | $1.940 |
| 100+ | $1.790 |
| 250+ | $1.660 |
| 500+ | $1.520 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 10
Múltiple: 10
$24.20
nota de línea
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Información del producto
FabricanteTAIWAN SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteTSM007NM03LCR RGGCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante14 semanas
No. Parte Newark12AN0614
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id384A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente400µohm
Diseño de TransistorPDFN56A
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.2V
Disipación de Potencia156W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
384A
Diseño de Transistor
PDFN56A
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
156W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
400µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.2V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto