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VNS3NV04DPTR-E
INT CARGA POTENCIA, AEC-Q101, BAJO, SO-8
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteVNS3NV04DPTR-ECopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)18AC8027RL
Cinta adhesiva18AC8027
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.600 | $2.60 |
| Total Precio | $2.60 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.600 |
| 50+ | $1.880 |
| 100+ | $1.720 |
| 250+ | $1.650 |
| 500+ | $1.540 |
| 1000+ | $1.500 |
| 2500+ | $1.470 |
| 5000+ | $1.440 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteVNS3NV04DPTR-ECopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)18AC8027RL
Cinta adhesiva18AC8027
Hoja de datos técnicos
Tipo de Interruptor de CargaLow Side
No. de Canales2Canales
Voltaje de Entrada-
Intensidad Límite5
Resistencia de Encendido0.12
Estuche / Paquete CISOIC
No. de Pines8Pines
Protección TérmicaYes
Polaridad de Entrada On / Habilitar-
No. de Salidas2Salidas
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Norma de Cualificación Automotriz-
Modelo de Switch de DistribuciónSOIC
Resumen del producto
VNS3NV04DPTR-E es un MOSFET de potencia totalmente autoprotegido OMNIFET II automotriz. Está compuesto por dos chips monolíticos (OMNIFET II) alojados en un paquete estándar. El OMNIFET II está diseñado utilizando tecnología VI Power M0-3 de STMicroelectronics y está destinado a reemplazar el MOSFET de potencia estándar en aplicaciones de CD de hasta 50kHz. El apagado térmico incorporado, la limitación de corriente lineal y la abrazadera de sobretensión protegen el chip en entornos hostiles. La retroalimentación de falla se puede detectar monitoreando el voltaje en el pin de entrada.
- Limitación de corriente lineal, homologada por AEC-Q100
- Apagado térmico, protección contra cortocircuitos, abrazadera integrada.
- Baja corriente extraída del pin de entrada
- Retroalimentación de diagnóstico a través del pin de entrada, protección ESD
- Acceso directo a la puerta del MOSFET de potencia (conducción analógica)
- Compatible con MOSFET de potencia estándar
- La resistencia de la fuente de drenaje estático es de 120 mohm como máximo (VIN = 5V; ID = 1.5A; Tj = 25 °C)
- El límite de corriente de drenaje es 5A típico (VIN = 5V; VDS = 13V, -40 °C <lt/> Tj <lt/> 150 °C)
- El voltaje de la abrazadera de drenaje-fuente es de 45V típico (VIN = 0V, ID = 1.5A, -40 °C <lt/> Tj <lt/> 150 °C)
- Paquete SO-8, rango de temperatura de funcionamiento de -40 °C a 150 °C
Especificaciones técnicas
Tipo de Interruptor de Carga
Low Side
Voltaje de Entrada
-
Resistencia de Encendido
0.12
No. de Pines
8Pines
Polaridad de Entrada On / Habilitar
-
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Norma de Cualificación Automotriz
-
No. de Canales
2Canales
Intensidad Límite
5
Estuche / Paquete CI
SOIC
Protección Térmica
Yes
No. de Salidas
2Salidas
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Modelo de Switch de Distribución
SOIC
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza VNS3NV04DPTR-E
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
