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VNP20N07-E
MOSFET POT, CANAL N, 70V, 20A
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteVNP20N07-ECopiar
No. Parte Newark33R1491
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| 50+ | $2.210 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteVNP20N07-ECopiar
No. Parte Newark33R1491
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80V
Intensidad Drenador Continua Id10A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.05ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.05ohm
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd83W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia83W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El VNP20N07-E es un MOSFET de potencia totalmente auto protegido de 70V fabricado con tecnología VIPower destinada a reemplazar MOSFETS de potencia estándar en aplicaciones de CD a 50KHz. El apagado térmico incorporado, la limitación de corriente lineal y la abrazadera de sobretensión protegen el chip en entornos hostiles. La retroalimentación de falla se puede detectar al monitorear el voltaje en el pin de entrada.
- Limitación de corriente lineal
- Desconexión térmica
- Protección contra cortocircuito
- Abrazadera integrada
- Baja corriente extraída del pin de entrada
- Retroalimentación de diagnóstico a través del pin de entrada
- Protección contra ESD
- Acceso directo a la puerta del MOSFET de potencia (conducción analógica)
- Compatible con MOSFET de potencia estándar
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.05ohm
Diseño de Transistor
TO-220
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
10A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.05ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
83W
Disipación de Potencia
83W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
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2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
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