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STW6N95K5
MOSFET, N-CH, 950V, 9A, 150DEG C, 90W
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTW6N95K5Copiar
No. Parte Newark26AH0276
Rango de ProductoMDmesh K5
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.330 |
| 10+ | $1.800 |
| 120+ | $1.260 |
| 510+ | $1.220 |
| 1020+ | $1.190 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTW6N95K5Copiar
No. Parte Newark26AH0276
Rango de ProductoMDmesh K5
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds950V
Intensidad Drenador Continua Id9A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1ohm
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia90W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoMDmesh K5
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
950V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
90W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
MDmesh K5
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
9A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto