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STW6N90K5
MOSFET, N-CH, 900V, 6A, TO-247-3
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTW6N90K5
No. Parte Newark14AC7566
Rango de ProductoMDmesh
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.540 |
| 10+ | $1.970 |
| 120+ | $1.840 |
| 510+ | $1.770 |
| 1020+ | $1.700 |
| 2520+ | $1.640 |
| 5010+ | $1.620 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$3.54
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTW6N90K5
No. Parte Newark14AC7566
Rango de ProductoMDmesh
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds900V
Intensidad Drenador Continua Id6A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.91ohm
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia110W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoMDmesh
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
900V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
MDmesh
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
6A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.91ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Disipación de Potencia
110W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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