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STW45N65M5
MOSFET de Potencia, Canal N, 650 V, 35 A, 0.067 ohms, TO-247, Agujero Pasante
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| Fabricante | STMICROELECTRONICS |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | STW45N65M5Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 19 semanas |
| No. Parte Newark | 34AC1986 |
| Rango de Producto | MDmesh V |
| Su número de pieza | |
| Hoja de datos técnicos |
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $9.900 |
| 10+ | $8.780 |
| 25+ | $7.670 |
| 50+ | $6.550 |
| 100+ | $6.150 |
| 250+ | $5.810 |
| 500+ | $5.690 |
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Múltiple: 1
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Información del producto
| Fabricante | STMICROELECTRONICS |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | STW45N65M5Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 19 semanas |
| No. Parte Newark | 34AC1986 |
| Rango de Producto | MDmesh V |
| Hoja de datos técnicos | |
| Transistor, Polaridad | Canal N |
| Tipo de Canal | N Channel |
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 650 |
| Intensidad Drenador Continua Id | 35 |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0.067ohm |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 0.067 |
| Diseño de Transistor | TO-247 |
| Montaje de Transistor | Through Hole |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10 |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 4 |
| Disipación de Potencia Pd | 210W |
| Disipación de Potencia | 210 |
| No. de Pines | 3Pines |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150 |
| Rango de Producto | MDmesh V |
| Calificación | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | MSL 1 - Unlimited |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (25-Jun-2025) |
Resumen del producto
- MOSFET de potencia MDmesh™ V de canal N de 650V y 35A en paquete TO-247 de 3 pines
- Mejor área RDS (activada) del mundo
- Mayor calificación VDSS y alta capacidad dv/dt
- Excelente rendimiento de conmutación
- Probado avalancha 100%
- Apto para aplicaciones de conmutación
- Basado en tecnología de proceso vertical patentada innovadora, estructura de diseño horizontal PowerMESH™
- Adecuado para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y una eficiencia excepcional
Especificaciones técnicas
| Transistor, Polaridad | Canal N |
|---|---|
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 650 |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0.067ohm |
| Diseño de Transistor | TO-247 |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10 |
| Disipación de Potencia Pd | 210W |
| No. de Pines | 3Pines |
| Rango de Producto | MDmesh V |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | MSL 1 - Unlimited |
| Tipo de Canal | N Channel |
|---|---|
| Intensidad Drenador Continua Id | 35 |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 0.067 |
| Montaje de Transistor | Through Hole |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 4 |
| Disipación de Potencia | 210 |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150 |
| Calificación | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (25-Jun-2025) |
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza STW45N65M5
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme a RoHS: | Sí RoHS |
| Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS): | Sí RoHS |
| Valor de sustancia extremadamente preocupante: | No SVHC (25-Jun-2025) |
| Descargue el certificado de cumplimiento del producto | Certificado de conformidad del producto |
 | Proposition 65 |