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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTR2P3LLH6
No. Parte Newark45AC7738
Rango de ProductoSTripFET H6
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.524 |
| 10+ | $0.380 |
| 25+ | $0.352 |
| 50+ | $0.324 |
| 100+ | $0.296 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTR2P3LLH6
No. Parte Newark45AC7738
Rango de ProductoSTripFET H6
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id2
Resistencia de Activación Rds(on)0.048ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.056
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd350mW
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5
Disipación de Potencia350
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoSTripFET H6
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia de Activación Rds(on)
0.048ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia Pd
350mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
STripFET H6
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.056
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
350
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza STR2P3LLH6
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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