Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.

No está disponible
Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP9NK70Z
No. Parte Newark33R1294
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds700
Intensidad Drenador Continua Id4
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1
Resistencia de Activación Rds(on)1ohm
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd115W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.75
Disipación de Potencia115
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Dec-2015)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
4
Resistencia de Activación Rds(on)
1ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
115W
Disipación de Potencia
115
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Dec-2015)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
700
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1
Diseño de Transistor
TO-220
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.75
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Dec-2015)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
