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STP80N600K6
MOSFET, N-CH, 800V, 7A, TO-220 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP80N600K6
No. Parte Newark78AK8733
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.45 |
| 10+ | $2.02 |
| 100+ | $1.97 |
| 500+ | $1.77 |
| 1000+ | $1.55 |
| 2500+ | $1.49 |
| 5000+ | $1.47 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP80N600K6
No. Parte Newark78AK8733
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds800V
Intensidad Drenador Continua Id7A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.515ohm
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia86W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
7A
Diseño de Transistor
TO-220
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
86W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
800V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.515ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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