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STP7NK40Z
MOSFET de Potencia, Canal N, 400 V, 5.4 A, 1 ohm, TO-220, Agujero Pasante
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
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No. Parte Newark26M3707
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.790 |
| 10+ | $1.850 |
| 100+ | $1.320 |
| 500+ | $1.080 |
| 1000+ | $1.060 |
| 2500+ | $1.040 |
| 10000+ | $1.020 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP7NK40ZCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark26M3707
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds400V
Intensidad Drenador Continua Id5.4A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1ohm
Resistencia de Activación Rds(on)1ohm
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd70W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.75V
Disipación de Potencia70W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El STP7NK40Z es un MOSFET de Poder protegido por Zener de canal N SuperMESH ™ obtenido a través de una optimización extrema de la bien establecida disposición de PowerMESH ™ basada en tiras de ST. Además de reducir significativamente la resistencia de encendido, se tiene especial cuidado para garantizar una muy buena capacidad de dV/dt para las aplicaciones más exigentes.
- 0.85Ω RDS (ENCENDIDO)
- Capacidad dv/dt extremadamente alta
- 100% prueba de avalancha
- Carga de puerta minimizada
- Capacidades intrínsecas muy bajas
- Muy buena repetibilidad de fabricación.
- Rango de temperatura de unión de operación entre -55 y 150°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
400V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1ohm
Diseño de Transistor
TO-220
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.75V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
5.4A
Resistencia de Activación Rds(on)
1ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
70W
Disipación de Potencia
70W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza STP7NK40Z
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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