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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP7N80K5Copiar
No. Parte Newark45AC7732
Rango de ProductoMDmesh K5
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP7N80K5Copiar
No. Parte Newark45AC7732
Rango de ProductoMDmesh K5
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds800V
Intensidad Drenador Continua Id6A
Resistencia de Activación Rds(on)0.95ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.95ohm
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd110W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia110W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoMDmesh K5
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
800V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.95ohm
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
MDmesh K5
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
6A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.95ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
110W
Disipación de Potencia
110W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
