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STP6NK90Z.
MOSFET de Potencia, Canal N, 900 V, 5.8 A, 2 ohm, TO-220, Agujero Pasante
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP6NK90Z.
No. Parte Newark28AC3445
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP6NK90Z.
No. Parte Newark28AC3445
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds900
Intensidad Drenador Continua Id5.8
Resistencia de Activación Rds(on)2ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Disipación de Potencia Pd140W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Diseño de TransistorTO-220
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.75
Disipación de Potencia140
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El STP6NK90Z es un SuperMESH™ Power MOSFET protegido con Zener de 900 V y canal N desarrollado utilizando la tecnología SuperMESH™, que se logra mediante la optimización del diseño PowerMESH™ basado en tiras bien establecido. Además de reducir significativamente la resistencia, se tiene especial cuidado para garantizar una muy buena capacidad dv/dt para las aplicaciones más exigentes. Carga de compuerta mejorada y menor disipación de energía para cumplir con los exigentes requisitos de eficiencia actuales.
- Capacidad dv/dt extremadamente alta
- 100% prueba de avalancha
- Carga de puerta minimizada
- Capacitancia intrínseca muy baja
- Muy buena repetibilidad de fabricación.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
900
Resistencia de Activación Rds(on)
2ohm
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.75
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
5.8
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2
Disipación de Potencia Pd
140W
Diseño de Transistor
TO-220
Disipación de Potencia
140
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Productos relacionados
6 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto