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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP6NK60ZCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark26M3701
Su número de pieza
3,421 En Inventario
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.360 |
| 10+ | $2.000 |
| 100+ | $1.530 |
| 500+ | $1.300 |
| 1000+ | $1.160 |
| 2500+ | $0.953 |
| 10000+ | $0.905 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$2.36
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP6NK60ZCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark26M3701
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600
Intensidad Drenador Continua Id6
Resistencia de Activación Rds(on)1.2ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.2
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd110W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.75
Disipación de Potencia110
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El STP6NK60Z es un MOSFET de potencia de canal N SuperMESH™ que ofrece protección Zener y carga de puerta minimizada. La serie SuperMESH™ se obtiene a través de una optimización extrema del diseño PowerMESH™ basado en tiras de ST. Además de reducir significativamente la resistencia de encendido, se tiene especial cuidado para garantizar una muy buena capacidad de dV/dt para las aplicaciones más exigentes.
- 100% prueba de avalancha
- Capacidad dv/dt extremadamente alta
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
6
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.2
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
110W
Disipación de Potencia
110
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600
Resistencia de Activación Rds(on)
1.2ohm
Diseño de Transistor
TO-220
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.75
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza STP6NK60Z
1 producto (s) encontrado (s)
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4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
