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STP6N60M2
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 4.5 A, 1.06 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP6N60M2
No. Parte Newark45AC7729
Rango de ProductoMDmesh M2
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP6N60M2
No. Parte Newark45AC7729
Rango de ProductoMDmesh M2
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600
Intensidad Drenador Continua Id4.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.06
Resistencia de Activación Rds(on)1.06ohm
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd60W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia60
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoMDmesh M2
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.06
Diseño de Transistor
TO-220AB
Disipación de Potencia Pd
60W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
MDmesh M2
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
4.5
Resistencia de Activación Rds(on)
1.06ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
60
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto