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STP3N80K5
MOSFET de Potencia, Canal N, 800 V, 2.5 A, 2.8 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP3N80K5Copiar
No. Parte Newark45AC7716
Rango de ProductoMDmesh K5
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.320 |
| 10+ | $1.240 |
| 100+ | $1.130 |
| 500+ | $0.948 |
| 1000+ | $0.888 |
| 2500+ | $0.866 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP3N80K5Copiar
No. Parte Newark45AC7716
Rango de ProductoMDmesh K5
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds800
Intensidad Drenador Continua Id2.5
Resistencia de Activación Rds(on)2.8ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2.8
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd60W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia60
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoMDmesh K5
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
800
Resistencia de Activación Rds(on)
2.8ohm
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
MDmesh K5
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
2.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2.8
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
60W
Disipación de Potencia
60
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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