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STP170N8F7
MOSFET, N-CH, 80V, 120A, TO-220
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP170N8F7
No. Parte Newark45AC7702
Rango de ProductoSTripFET F7
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP170N8F7
No. Parte Newark45AC7702
Rango de ProductoSTripFET F7
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80V
Intensidad Drenador Continua Id120A
Resistencia de Activación Rds(on)0.003ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3000µohm
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd250W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.5V
Disipación de Potencia250W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoSTripFET F7
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Dec-2015)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.003ohm
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
STripFET F7
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
120A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3000µohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
250W
Disipación de Potencia
250W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Dec-2015)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Dec-2015)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto