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STP130N6F7
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 80 A, 4200 µohm, TO-220, Agujero Pasante
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP130N6F7Copiar
No. Parte Newark26AH0260
Rango de ProductoSTripFET F7 Series
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.450 |
| 10+ | $1.080 |
| 100+ | $0.999 |
| 500+ | $0.859 |
| 1000+ | $0.786 |
| 2500+ | $0.732 |
| 5000+ | $0.687 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP130N6F7Copiar
No. Parte Newark26AH0260
Rango de ProductoSTripFET F7 Series
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id80
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente4200
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia160
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoSTripFET F7 Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-220
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
160
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
STripFET F7 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
80
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
4200
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza STP130N6F7
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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