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STN2NF10
MOSFET, N-CH, 100V, 2A, SOT-223 ROHS COMPLIANT: YES
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Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 24 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 4000+ | $0.478 |
| 8000+ | $0.464 |
| 16000+ | $0.463 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 4000
Múltiple: 4000
$1,912.00
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTN2NF10
No. Parte Newark86AK6507
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id2A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.26ohm
Diseño de TransistorSOT-223
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia3.3W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
2A
Diseño de Transistor
SOT-223
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
3.3W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.26ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza STN2NF10
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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