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STL165N4F8AG
MOSFET, N-CH, 40V/154A, POWERFLAT 5X6-8
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTL165N4F8AGCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark22AM2351
Rango de ProductoSTripFET F8 Series
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.100 |
| 10+ | $1.350 |
| 25+ | $1.210 |
| 50+ | $1.050 |
| 100+ | $0.908 |
| 250+ | $0.819 |
| 500+ | $0.778 |
| 1000+ | $0.744 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$2.10
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTL165N4F8AGCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark22AM2351
Rango de ProductoSTripFET F8 Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id154A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2600µohm
Diseño de TransistorPowerFLAT 5x6
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia111W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoSTripFET F8 Series
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
154A
Diseño de Transistor
PowerFLAT 5x6
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
111W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2600µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
STripFET F8 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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