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STL140N4F7AG
MOSFET, CANAL N, 40V, 120A, POWERFLAT-8
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTL140N4F7AGCopiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)96Y6021
Cinta adhesiva96Y6021
Rango de ProductoSTripFET
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTL140N4F7AGCopiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)96Y6021
Cinta adhesiva96Y6021
Rango de ProductoSTripFET
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id120A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2100µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorPowerFLAT
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia-
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoSTripFET
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Dec-2015)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2100µohm
Diseño de Transistor
PowerFLAT
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
STripFET
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Dec-2015)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
120A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
-
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Dec-2015)
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