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STHU65N110DM9AG
MOSFET, N-CH, 650V, 26A, HU3PAK
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
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No. Parte Newark11AN9694
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $4.570 |
| 50+ | $4.000 |
| 100+ | $3.310 |
| 250+ | $2.970 |
| 500+ | $2.740 |
| 1000+ | $2.560 |
| 2500+ | $2.510 |
| 5000+ | $2.460 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTHU65N110DM9AGCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante49 semanas
No. Parte Newark11AN9694
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Intensidad Drenador Continua Id26A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.11ohm
Diseño de TransistorHU3PAK
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.5V
Disipación de Potencia179W
No. de Pines7Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
26A
Diseño de Transistor
HU3PAK
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
179W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.11ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.5V
No. de Pines
7Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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