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STH280N10F8-2
MOSFET, N-CH, 100V, 292A, H2PAK-2
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTH280N10F8-2Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante5 semanas
No. Parte Newark11AN9700
Rango de ProductoSTripFET F8 Series
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $5.750 |
| 50+ | $5.170 |
| 100+ | $4.810 |
| 250+ | $4.430 |
| 500+ | $3.960 |
| 1000+ | $3.310 |
| 2500+ | $3.180 |
| 5000+ | $3.040 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$5.75
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTH280N10F8-2Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante5 semanas
No. Parte Newark11AN9700
Rango de ProductoSTripFET F8 Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id292A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1900µohm
Diseño de TransistorH2PAK-2
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia341W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoSTripFET F8 Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
292A
Diseño de Transistor
H2PAK-2
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
341W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1900µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
STripFET F8 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
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