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STGWA30M65DF2
IGBT, 60 A, 1.55 V, 258 W, 650 V, TO-247, 3 Pines
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTGWA30M65DF2Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark52Y7737
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.930 |
| 10+ | $2.570 |
| 25+ | $2.450 |
| 50+ | $2.320 |
| 100+ | $2.200 |
| 250+ | $2.160 |
| 500+ | $2.110 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$3.93
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTGWA30M65DF2Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark52Y7737
Hoja de datos técnicos
Corriente de Colector DC0
Corriente del Colector Continua60
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.55
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)0
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia258
Voltaje Máx. Colector a Emisor650
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Montaje de TransistorThrough Hole
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Corriente de Colector DC
0
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.55
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Colector a Emisor
650
Diseño de Transistor
TO-247
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Corriente del Colector Continua
60
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
0
Disipación de Potencia
258
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
No. de Pines
3Pines
Montaje de Transistor
Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto