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STFU10NK60Z
MOSFET, N-CH, 600V, 10A, TO-220FP
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTFU10NK60ZCopiar
No. Parte Newark69AH2707
Rango de ProductoSuperMESH
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.370 |
| 10+ | $1.280 |
| 100+ | $1.170 |
| 500+ | $1.070 |
| 1000+ | $0.977 |
Precio para:Cada
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTFU10NK60ZCopiar
No. Parte Newark69AH2707
Rango de ProductoSuperMESH
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600
Intensidad Drenador Continua Id10
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.68
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-220FP
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.75
Disipación de Potencia35
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoSuperMESH
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.68
Diseño de Transistor
TO-220FP
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
35
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
SuperMESH
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
10
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.75
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
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