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STF13N65M2
MOSFET, N-CH, 650V, 10A, 150DEG C, 25W
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTF13N65M2
No. Parte Newark26AH0164
Rango de ProductoMDmesh M2
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Hoja de datos técnicos
963 En Inventario
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.440 |
| 10+ | $1.360 |
| 100+ | $1.270 |
| 500+ | $1.220 |
| 1000+ | $1.170 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTF13N65M2
No. Parte Newark26AH0164
Rango de ProductoMDmesh M2
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Intensidad Drenador Continua Id10A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.37ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-220FP
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia25W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoMDmesh M2
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.37ohm
Diseño de Transistor
TO-220FP
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
25W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
MDmesh M2
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
10A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza STF13N65M2
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
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