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STE53NC50
Transistor Bipolar (BJT) Individual, Canal N, 53 A, 500 V, 0.08 ohm, 10 V, 4 V
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $44.760 |
| 5+ | $38.130 |
| 10+ | $31.500 |
| 25+ | $30.870 |
| 50+ | $30.240 |
| 100+ | $29.610 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
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Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark72K7232
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id53
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds500
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.08
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Montaje de Transistor0
Disipación de Potencia460
Disipación de Potencia Pd0
Diseño de Transistor0
Temperatura de Trabajo Máx.150
No. de Pines4Pines
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
53
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Montaje de Transistor
0
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
500
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.08
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia
460
Diseño de Transistor
0
No. de Pines
4Pines
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
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