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STD60NF06T4
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 60 A, 0.016 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD60NF06T4Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6484
Re-reeling (Rollos a medida)26M3529RL
Cinta adhesiva26M3529
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $2.990 | $14.95 |
| Total Precio | $14.95 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $2.990 |
| 10+ | $1.930 |
| 15+ | $1.780 |
| 25+ | $1.630 |
| 50+ | $1.480 |
| 125+ | $1.330 |
| 250+ | $1.300 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $0.900 |
| 5000+ | $0.866 |
| 7500+ | $0.831 |
| 12500+ | $0.814 |
| 25000+ | $0.798 |
| 62500+ | $0.781 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD60NF06T4Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6484
Re-reeling (Rollos a medida)26M3529RL
Cinta adhesiva26M3529
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id60A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.016ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.014ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd110W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia110W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
60A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.014ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
110W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.016ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Disipación de Potencia Pd
110W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza STD60NF06T4
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto