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STD3NK90ZT4
MOSFET de Potencia, Canal N, 900 V, 1.5 A, 4.1 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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| Fabricante | STMICROELECTRONICS |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | STD3NK90ZT4Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 16 semanas |
| No. Parte Newark | Re-reeling (Rollos a medida)33R1156RL Cinta adhesiva33R1156 |
| Su número de pieza | |
| Hoja de datos técnicos |
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $3.340 | $3.34 |
| Total Precio | $3.34 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.340 |
| 10+ | $2.200 |
| 100+ | $1.560 |
| 500+ | $1.280 |
| 1000+ | $1.250 |
| 2500+ | $1.230 |
| 10000+ | $1.200 |
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Información del producto
| Fabricante | STMICROELECTRONICS |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | STD3NK90ZT4Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 16 semanas |
| No. Parte Newark | Re-reeling (Rollos a medida)33R1156RL Cinta adhesiva33R1156 |
| Hoja de datos técnicos | |
| Tipo de Canal | N Channel |
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 900 |
| Intensidad Drenador Continua Id | 1.5 |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 4.1 |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 4.1ohm |
| Diseño de Transistor | TO-252 (DPAK) |
| Montaje de Transistor | Surface Mount |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10 |
| Disipación de Potencia Pd | 90W |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 3.75 |
| Disipación de Potencia | 90 |
| No. de Pines | 3Pines |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150 |
| Rango de Producto | - |
| Calificación | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | MSL 1 - Unlimited |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (25-Jun-2025) |
Resumen del producto
El STD3NK90ZT4 es un MOSFET de potencia de canal N SuperMESH™ que ofrece protección Zener y carga de puerta minimizada. La serie SuperMESH™ se obtiene a través de una optimización extrema del diseño PowerMESH™ basado en tiras de ST. Además de reducir significativamente la resistencia de encendido, se tiene especial cuidado para garantizar una muy buena capacidad de dV/dt para las aplicaciones más exigentes.
- 100% prueba de avalancha
- Capacitancia intrínseca muy baja
- Muy buena repetibilidad de fabricación.
- Capacidad dv/dt extremadamente alta
Especificaciones técnicas
| Tipo de Canal | N Channel |
|---|---|
| Intensidad Drenador Continua Id | 1.5 |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 4.1ohm |
| Montaje de Transistor | Surface Mount |
| Disipación de Potencia Pd | 90W |
| Disipación de Potencia | 90 |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150 |
| Calificación | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (25-Jun-2025) |
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 900 |
|---|---|
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 4.1 |
| Diseño de Transistor | TO-252 (DPAK) |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10 |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 3.75 |
| No. de Pines | 3Pines |
| Rango de Producto | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | MSL 1 - Unlimited |
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza STD3NK90ZT4
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme a RoHS: | Sí RoHS |
| Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS): | Sí RoHS |
| Valor de sustancia extremadamente preocupante: | No SVHC (25-Jun-2025) |
| Descargue el certificado de cumplimiento del producto | Certificado de conformidad del producto |
 | Proposition 65 |