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STD35NF06LT4
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 17.5 A, 0.017 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD35NF06LT4
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)33R1160
Cinta adhesiva33R1160
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1,914 En Inventario
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Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.280 |
| 10+ | $1.540 |
| 25+ | $1.400 |
| 50+ | $1.260 |
| 100+ | $1.120 |
| 250+ | $1.030 |
| 500+ | $0.943 |
| 1000+ | $0.903 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD35NF06LT4
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)33R1160
Cinta adhesiva33R1160
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id17.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.017
Resistencia de Activación Rds(on)0.014ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd80W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Disipación de Potencia80
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza STD35NF06LT4
1 producto (s) encontrado (s)
Resumen del producto
El STD35NF06LT4 es un MOSFET de potencia de canal N de 60V desarrollado con un proceso STripFET único, que está diseñado específicamente para minimizar la capacitancia de entrada y la carga de la puerta. Esto hace que el MOSFET sea adecuado para su uso como interruptor principal en convertidores CD-CD aislados de alta eficiencia avanzados para aplicaciones informáticas y de telecomunicaciones y aplicaciones con requisitos de conducción de carga de compuerta baja.
- Unidad de umbral bajo
- Carga de puerta minimizada
- Alto pico de potencia
- Alta capacidad de robustez
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
17.5
Resistencia de Activación Rds(on)
0.014ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
80
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.017
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Disipación de Potencia Pd
80W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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