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STB75NF20
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 37 A, 0.028 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTB75NF20Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)33R1133RL
Cinta adhesiva33R1133
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $7.820 | $7.82 |
| Total Precio | $7.82 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $7.820 |
| 50+ | $5.500 |
| 100+ | $4.190 |
| 250+ | $4.100 |
| 500+ | $4.010 |
| 1000+ | $3.930 |
| 2500+ | $3.850 |
| 5000+ | $3.770 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTB75NF20Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)33R1133RL
Cinta adhesiva33R1133
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200
Intensidad Drenador Continua Id37
Resistencia de Activación Rds(on)0.028ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.028
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd190W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia190
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El STB75NF20 es un MOSFET de potencia de canal N STripFET™ II diseñado específicamente para minimizar la capacitancia de entrada y la carga de la puerta. Es adecuado como interruptor primario en convertidores CD a CD aislados de alta eficiencia avanzados.
- Capacidad excepcional de dV/dt
- Baja carga de compuerta
- 100% prueba de avalancha
- Temperatura de unión de operación entre -55 y 150°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
37
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.028
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
190W
Disipación de Potencia
190
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200
Resistencia de Activación Rds(on)
0.028ohm
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto