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STB13N60M2
MOSFET, N-CH, 600V, 11A, 110W, TO-263
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTB13N60M2
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6447
Re-reeling (Rollos a medida)07AH6943
Cinta adhesiva07AH6943
Rango de ProductoMDmesh M2
Su número de pieza
408 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $3.250 | $3.25 |
| Total Precio | $3.25 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.250 |
| 10+ | $2.240 |
| 25+ | $2.050 |
| 50+ | $1.860 |
| 100+ | $1.670 |
| 250+ | $1.560 |
| 500+ | $1.440 |
| 1000+ | $1.370 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1000+ | $1.510 |
| 2000+ | $1.470 |
| 4000+ | $1.430 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTB13N60M2
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6447
Re-reeling (Rollos a medida)07AH6943
Cinta adhesiva07AH6943
Rango de ProductoMDmesh M2
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600V
Intensidad Drenador Continua Id11A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.35ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia110W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoMDmesh M2
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
MDmesh M2
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
11A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.35ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
Disipación de Potencia
110W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza STB13N60M2
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto
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